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    盖楼比赛 三星将推224层闪存 速度提升30%

      [  中关村在线 原创  ]   作者:大V

        如今的3D闪存在业内玩起了盖楼比赛,去年镁光的176层堆栈闪存撼动了三星的领先位置,不过,三星打算在今年追回来,其将在今年底明年初推出第八代V-NAND闪存,堆栈层数首次超过200层,之前传闻是228层,现在的说法是224层,相当于在128层基础上再堆栈96层。

    盖楼比赛 三星将推224层闪存 速度提升30%

        据悉,三星的224层闪存性能很不错,数据速度提升了30%,同时生产效率也提高了30%。

        此外,三星的224层闪存技术难度也很高,之前三星是唯一一家使用单堆栈技术实现128层闪存的公司,这次的224层则使用了双堆栈技术,技术挑战十分严峻。

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    nb.zol.com.cn true https://nb.zol.com.cn/786/7863979.html report 574     如今的3D闪存在业内玩起了盖楼比赛,去年镁光的176层堆栈闪存撼动了三星的领先位置,不过,三星打算在今年追回来,其将在今年底明年初推出第八代V-NAND闪存,堆栈层数首次超过200层,之前传闻是228层,现在的说法是224层,相当于在128层基础上再堆栈96层。...
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