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    三星3nm GAAFET 制程将推迟至 2024 年

      [  中关村在线 原创  ]   作者：墨添碁

    据外媒消息，三星的3nm芯片制程将被推迟到2024年。该公司将此特定节点命名为3GAE。2024年是三星能够在3GAE上大规模生产芯片的最早日期，这意味着该公司和英特尔将开始在代工技术上明显落后于台积电。

    三星3nm GAAFET 制程将推迟至 2024 年

    作为目前的半导体制造巨头，台积电将在2024年左右努力实现2nm的制程的量产，这多亏了利用EUV多图形化、在接触和互连中广泛使用钴、锗掺杂通道等，以及其他内部创新措施。

    三星3nm GAAFET 制程将推迟至 2024 年

    英特尔牙膏厂实在是不给力，代工技术在小于10纳米的领域发展极为缓慢，目前三星是唯一可以替代台积电的顶级逻辑芯片制造。

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