NAND：SLC与MLC 闪存内部架构

● NAND闪存的三种架构：MLC、SLC、MBC

　　我们先来看看NAND闪存的内部架构。NAND闪存可以分为三种不同架构，即：单层单元SLC （Single Level Cell）；多层单元MLC（Multi Level Cell）；多位单元MBC（Multi Bit Cell）。其中，MBC以NROM技术为基础的NAND闪存架构，由英飞凌与Saifun合作开发，但该项架构技术并不成熟。

　　采SLC架构是在每个Cell中存储1个bit的信息，以达到其稳定、读写速度快等特点，Cell可擦写次数为10万次左右。作为SLC架构，其也有很大的缺点，就是面积容量相对比较小，并且由于技术限制，基本上很难再向前发展了。

SLC和MLC结构和工作原理示意图

　　1997年，MLC架构的NAND闪存被英特尔率先研发出来，其原理是将2个或2个以上bit以上的信息写入一个浮动栅，然后利用不同电位的电荷，透过内存储存格的电压控制精准读写。由于其成本低，容量大，自问世以来得到了包括英特尔在内的多家闪存大厂的支持，其中东芝公司更是看好MLC技术，并大力发展。但是MLC架构也同样有其缺点，首先是运行情况不及SLC架构来的稳定；而且相对读写速率也较SLC慢；其次MLC的可写入次数仅为1万次左右。因此，MLC架构的NAND芯片一度被认为是低质低价的闪存芯片。但是由于其容量上的先天优势，MLC技术也在不断改进和发展。

两个MCL Block的NAND FLASH

　　因为其低成本及容量高的关系，该类型闪存已经主宰了我们身边的众多存储媒介。由于目前移动设备的不断增长，大容量高速非易失性存储设备成为市场需求的目标。

    根据测试样机中的迅盘模块上闪存的编号可以判断出，该迅盘模块使用的是两颗编号为29F04G08AANBI的512MB闪存芯片，该芯片使用TSOP封装模式，属于MLC架构。从该处也可以看出，英特尔对MLC架构的NAND闪存芯片的性能及稳定性已经有了充分的信心，并且为其将来的容量扩充也做好了准备。