美光下周交付32GB DDR5颗粒 为NVIDIA抢单

美光大幅提升HBM3E内存产能，将是NVIDIA A100/H100计算卡的重要配套设施。这款HBM3E内存使用1βnm工艺制造，单颗容量为24GB，并且由八颗24GB的Die堆叠而成，数据传输速率最高可达9.7GT/s，比目前市场上的最快方案高44%。 除此之外，美光也在筹备下一代产品，将推出容量达到32GB的HBM3E内存，预计将在明年初正式推出。值得注意的是，SK海力士同样在研发生产HBM3E内存，并将向NVIDIA供应。 需求量巨大的NVIDIA在这个时候能够抢到如此重要的大单，对它们而言无疑是一次关键的转折。而凭借美光的HBM3E和SK海力士的HBM3E的双重支持，NVIDIA将有可能进一步扩大市场份额。 另外，美光还将在明年初交付32GB DDR5颗粒，可广泛应用于桌面电脑、服务器等领域，助力实现单条1TB的内存配置。

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