如今,光刻机一直限制着国产芯片的发展,为了突破限制,国家正在大力推进光子芯片,其原理跟硅芯片不同,运算速度可提升1000倍以上,而且不依赖先进的光刻机,比如EUV光刻机,因此是各国争相发展的新一代信息科技。
近日有消息称,国内首条“多材料、跨尺寸”的光子芯片生产线已在筹备,预计将于2023年在京建成,可满足通信、数据中心、激光雷达、微波光子、医疗检测等领域需求,有望填补我国在光子芯片晶圆代工领域的空白。
据悉,光子芯片是光电子器件的核心组成部分,与集成电路芯片相比存在多处不同。例如:从性能而言,光子芯片的计算速度较电子芯片快约1000倍,且功耗更低。
从材料而言,InP、GaAS等二代化合物半导体是光子芯片更为常用的材料,而集成电路一般采用硅片。从制备而言,光子芯片的制备流程与集成电路芯片存在一定相似性,但侧重点在于外延设计与制备环节,而非光刻环节。
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