比QLC闪存还渣 FLC闪存即将浮出水面

NAND闪存从SLC到MLC再到TLC，可以说一步步降低了成本，提升了容量，这是它们得以普及的关键。现在QLC闪存在这一年中发展迅猛，大有抢TLC风头的意味，而更渣的PLC闪存也在路上了。

所谓SLC、MLC、TLC、QLC及PLC，指的是闪存的类型，它们每个cell单元分别存放1、2、3、4、5位电荷，所以容量越来越大，但是代价就是写入速度越来越低，P/E寿命越来越渣，QLC的P/E次数宣传上有1000次，实际大概是几百次，FLC时代弄不好要跌到100次内了。

从消费者角度来说，QLC闪存都很难接受，更别提再渣一等的PLC闪存，这寿命和速度看着不让人放心。

但是闪存厂商对PLC闪存的研究早就开始了，随着QLC闪存发展的第三、第四代，目前性能、容量、可靠性算是维持住底线了，研发中的FLC闪存进入市场只是迟早的事。

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