SK海力士近日宣布已经成功研发并量产128层堆叠的4D NAND闪存芯片，并会在今年下半年批量出货，此时距离去年量产96层4D闪存只过去了八个月。SK海力士由此实现了业内最高的闪存垂直堆叠密度，单颗芯片集成超过3600亿个闪存单元，每一个可存储3个比特位，为此SK海力士应用了一系列创新技术，比如超同类垂直蚀刻技术、高可靠性多层薄膜单元成型技术、超快低功耗电路技术等。
新的128层4D闪存单颗容量1TB，是业内存储密度最高的TLC闪存，与SK海力士在内的多家闪存厂商所研发出的QLC闪存存储密度相同，每颗晶圆可生产的比特容量也比96层堆叠增加了40％。并且新闪存可以在1.2V电压下实现1400Mbps的数据传输率，可用于高性能、低功耗的手机存储、企业级SSD。
所谓4D闪存是指单芯片四层架构设计，结合了3D CTF(电荷捕获闪存)设计、PUC(Peri. Under Cell)技术，利用这种架构设计，SK海力士在从96层堆叠到128层堆叠时，虽然层数增加了三分之一，但是制造工艺步骤减少了5％，整体投资也比之前减少了60％。
编辑观点：
SK海力士新款闪存芯片的问世说明我们将会在今年底至明年初看到许多2TB或更大容量的TLC颗粒固态硬盘产品出现在消费级市场，届时512GB、1TB容量的老款产品价格势必会进一步下降，固态硬盘将更快地压缩机械硬盘的生存环境。
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