相比针对手机平台的骁龙835，网传的骁龙1000在规格方面有了全方位的提升。考虑到爆料人的身份，相关参数可信度非常高。
推特爆料截图
我简单把相关参数总结一下：骁龙1000的封装尺寸为20×15mm，封装面积达到了300平方毫米；其最大支持16GB内存、2×128GB UFS；处理器部分采用Cortex A76大核+Cortex A55小核的搭配；热功耗最高为12W；开发板上为插槽式，可更换；由台积电代工。
其中与性能有直接关系的是封装面积、处理器架构和功耗，我简单拿这些规格与其他处理器进行对比。第八代英特尔低压酷睿处理器的封装面积为1008平方毫米，是骁龙1000的三倍多一些；骁龙835的封装面积为153平方毫米，骁龙1000是其两倍。这一部分还不能明确看出性能提升多少。
Cortex A76是ARM在今年6月刚刚发布的全新架构，ARM表示其达到了笔记本性能级别。相比A75性能提升35%，而骁龙845的Kryo 385 Gold正是基于A75。虽然两者无法直接对比，但大体能够猜测骁龙1000的性能相比骁龙845提升在30%以上，相比骁龙835提升在50%左右。
骁龙1000的12W功耗并不低，像酷睿M（后隶属于酷睿i）的功耗为4.5W，第八代英特尔低压酷睿功耗为15W，当然英特尔处理器睿频之后的功耗就不好说了。骁龙850最高功耗在6.5W左右，所以骁龙1000的性能是比较可观的。
另外，暂时还无法确定采用台积电的7nm还是10nm工艺，不过架构采用Cortex A76，7nm的可能性要更大一些。7nm意味着骁龙1000的超频性能会更强一些。
插槽式就不需要过多考虑的，应该是测试需要，市售版本应该直接焊接在主板上。
初步推断骁龙1000的性能会有比较大的提升，如果再考虑功耗、7nm的话，实际性能可能要比目前的骁龙835笔记本高出50%以上。
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