·3D Xpoint到底是个啥？

  1968年，当英特尔公司刚刚建立之初，它所主营的业务其实是存储芯片，而不是处理器。

  英特尔第一款产品就是名声大噪的3010 Schottky双极随机存储器（RAM），之后紧接着又发布了世界上首款金属氧化物半导体（MOS）静态随机存储器（Static RAM）1101。然而当时由于生产工艺限制，存储器制造只能由手工完成，相对于现在的机器量产，可以说是拥有相当高的难度。

  47年之后，英特尔有望再次引领存储技术的变革，所凭借的就是与镁光联手发布的3D Xpoint技术，一项新的非易失性存储器技术。而这项技术的意义在于“又一次重新发明了存储芯片”。

  为什么说是“又一次重新发明”呢？下面我们不妨来看看，以往的NAND闪存与3D Xpoint存储芯片之间所存在的差异是不是可以上升到重新发明的高度。

3D Xpoint技术与目前的NAND闪存性能实测，有7倍以上提升

  首先要明白的是，3D Xpoint是一种技术，而且是一种改变传统闪存架构的技术，本质上并不是一种简单提升闪存存取速度的技术。那么新的架构与传统的架构有何不同呢？下面笔者就用一个大家都很容易理解的方式对架构的改变做一个归纳。

  首先我们假设有一个占地20000平米土地的小镇，镇子里起先有2000个人。在3D Xpoint出现之前，镇子里的人都住在平房里，那么这时候每个人所摊的面积只有20000÷2000=10平米。大家可以想像一下10平米的空间得是有多挤。

  面对这种状况，政府请来了一位设计师和一个施工队力求解决这种拥挤的状况，于是设计师设计出了一幢足够容纳2000人的大楼，而施工队则将原本的平房都推到，迅速盖起了设计师设计出的大楼。当完成这项工程之后，一举解决了这个小镇拥挤的居住状况。

将平房推倒盖成高楼，单位面积内可容纳的人就会更多，这点应该不难理解

  而完成这项工程的设计师和施工团队，就是英特尔和镁光。

  说到这里大家都应该已经明白了吧，3D Xpoint技术其实就是将原本平面化的NAND闪存结构变成了立体化结构，在这样的立体结构里，存储容量不再单纯受芯片平面面积大小的影响，因此同样的芯片面积上可以容纳更大的数据吞吐量，这就是3D Xpoint的革命性所在，而这种对传统闪存架构的改变，又怎能不是对存储技术的又一次重新发明呢？