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    HBM3内存标准公布:采用多层堆叠 引入片上ECC纠错功能

      [  中关村在线 原创  ]   作者:刘芳佐

    SK海力士此前率先推出了HBM3高带宽内存芯片,其采用多层堆叠方式,单片容量可达24 GB,最高带宽可达896GB/s。现在,HBM3内存标准也公布了出来,相比HBM2内存,HBM3带宽增加了一倍,独立通道数量达到16个,每个芯片支持32通道。另外,芯片可以采用4层、9层、12层的堆叠方式,每层芯片的容量为8GB至32GB可选(1GB~4GB),第一代产品预计为单层16GB,未来可扩展至16层堆叠,单片容量可达64GB。另外,HBM3还引入了片上ECC纠错功能。

    没那么

    在供电方面,HBM3芯片采用0.4V、1.1V两档工作电压,以便提高能效。HBM3将使得计算机达到更高的性能上限,同时能耗会有所降低。

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    nb.zol.com.cn true https://nb.zol.com.cn/786/7860509.html report 646 SK海力士此前率先推出了HBM3高带宽内存芯片,其采用多层堆叠方式,单片容量可达24 GB,最高带宽可达896GB/s。现在,HBM3内存标准也公布了出来,相比HBM2内存,HBM3带宽增加了一倍,独立通道数量达到16个,每个芯片支持32通道。另外,芯片可以采用4层、9层、12层的堆叠方...
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