近日，三星披露了其3nm制程技术指标，三星预计其晶体管密度将达到1.7亿/平方毫米。不过这一指标相对于台积电和英特尔来说都比较低。
目前英特尔虽然没有披露3nm指标，但其此前预估7nm制程晶体管密度可以达到1.8亿/平方毫米，这一指标超过了三星3nm制程工艺。而台积电和三星在7nm制程节点的晶体管密度分别为9700万/平方毫米和9500万/平方毫米。
5nm制程节点，英特尔可以做到3亿/平方毫米，台积电为1.73亿/平方毫米，三星可以做到1.27亿/平方毫米。
因此单从不同制程节点的晶体管密度来看，三星相对于英特尔和台积电来说都有一定差距。
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