2021年3月2日,英特尔正式发布全新的、基于QLC 3D NAND技术打造的670p固态盘。新产品包含512GB、1TB、2TB三种容量,尺寸为2280标准,支持PCIe 3.0×4接口,基于英特尔先进的144层QLC 3D NAND技术打造,在整体容量和性能方面有了极大提升。
英特尔670p固态盘单驱动容量最高达到2TB,并针对办公和游戏进行了优化。它采用超薄的M.2 80毫米外壳打造,适合笔记本电脑、台式机以及诸多移动设备。
英特尔全新的QLC 3D NAND技术相比前一代,在顺序读取性能方面提升2倍,耐久性提高20%。根据官方测试数据,其顺序读取速度达到3500MB/s,顺序写入速度2700MB/s;随机4KB读取最高可达310K IOPS,随机4K写入最高达到340 IOPS。其写入耐久性为每512GB 185TBW,综合表现优异。
全新的英特尔670p固态盘采用创新性的浮动栅极架构,它拥有紧密、对称的层,结合CuA(CMOS under Array, 阵列下 CMOS 技术),没有单元开销。浮动栅极架构拥有良好的程序/擦除阈值电压窗口,单元之间电荷隔离更加稳定,并且能够完整保留数据。
此外,这种动态架构改变了单元配置,以同时满足用户对于存储容量和性能的需求。同时该技术使高性价比的大容量存储成为现实,并且有助于加快大容量固态硬盘普及。
英特尔670p固态盘还扩大了动态SLC的使用范围,2TB容量最大SLC容量达到280GB,1TB容量最大SLC容量为140GB,512GB容量最大SLC为70GB,有效提升存取速度。
英特尔客户端计算事业 部副总裁兼PC创新部总经理Josh Newman表示:“全新英特尔670p固态盘将有助于实现更强的性能、更快的速度和响应能力,同时提供人们所期待的全天 电池续航所需的低功耗。通过我们的开放实验室,这些固态盘还对功率和性能进行了优化,使其成为未来英特尔Evo设计的一个绝佳选择。”
总体来看,英特尔670p固态盘使用了144层英特尔QLC 3D NAND技术,并且优化了控制器、固件和缓存算法。其针对低队列深度和混合读/写负载进行了调整,满足时下最常见计算需求的存储,如办公和游戏。而与上一代660p固态盘相比,全新的670p固态盘在性能、耐久性方面更加出色,功耗更低,并且在最大容量上提升巨大。
据悉,英特尔670p固态盘将于二季度通过OEM发售,3月1日起,用户也可通过网络零售商进行购买。
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