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    英特尔封装技术再进一步 融合2D、3D优势

      [  中关村在线 原创  ]   作者:尹航   |  责编:李诺

      在本周于旧金山举办的SEMICON West大会上,英特尔的工程技术专家们介绍了英特尔先进封装技术的最新信息,并推出了一系列全新基础工具,包括将EMIB和Foveros技术相结合的创新应用,以及全新的全方位互连(ODI, Omni-Directional Interconnect)技术。英特尔的全新封装技术将与其世界级制程工艺相结合,助力客户释放创新力,走向计算新时代。

    英特尔

      英特尔公司集团副总裁兼封装测试技术开发部门总经理Babak Sabi表示:“我们的愿景是利用先进技术将芯片和小芯片封装在一起,达到单晶片系统级芯片的性能。异构集成技术为我们的芯片架构师提供了前所未有的灵活性,使之能够在新的多元化模块中将各种IP和制程技术与不同的内存和I/O单元混搭起来。英特尔的垂直集成结构在异构集成的时代独具优势,它赋予了我们无与伦比的强大能力,让我们能够对架构、制程和封装同时进行优化,从而交付领先的产品。”

      芯片封装在电子供应链中看似不起眼,却一直发挥关键作用。作为处理器和主板之间的物理接口,封装为芯片的电信号和电源提供了一个着陆区。随着电子行业正在迈向以数据为中心的时代,先进封装将比过去发挥更重大的作用。

      封装不仅仅是制造过程的最后一步,它正在成为产品创新的催化剂。先进的封装技术能够集成多种制程工艺的计算引擎,实现类似于单晶片的性能,但其平台范围远远超过单晶片集成的晶片尺寸限制。这些技术将大大提高产品级性能和功效,缩小面积,同时对系统架构进行全面改造。

      作为先进封装技术的领导者,英特尔能够同时提供2D和3D封装技术。在SEMICON West大会上,英特尔分享了三项全新技术,将为芯片产品架构开启一个全新维度。

      · Co-EMIB:英特尔的EMIB(嵌入式多芯片互连桥接)2D封装 和 Foveros 3D封装技术利用高密度的互连技术,实现高带宽、低功耗,并实现相当有竞争力的I/O密度。而英特尔的全新Co-EMIB技术能将更高的计算性能和能力连接起来。Co-EMIB能够让两个或多个Foveros元件互连,基本达到单晶片性能。设计师们还能够以非常高的带宽和非常低的功耗连接模拟器、内存和其他模块。

      · ODI:英特尔的全新全方位互连技术(ODI)为封装中小芯片之间的全方位互连通信提供了更大的灵活性。顶部芯片可以像EMIB技术下一样与其他小芯片进行水平通信,同时还可以像Foveros技术下一样,通过硅通孔(TSV)与下面的底部裸片进行垂直通信。ODI利用大的垂直通孔直接从封装基板向顶部裸片供电,这种大通孔比传统的硅通孔大得多,其电阻更低,因而可提供更稳定的电力传输,同时通过堆叠实现更高带宽和更低时延。同时,这种方法减少了基底晶片中所需的硅通孔数量,为有源晶体管释放了更多的面积,并优化了裸片的尺寸。(ODI技术视频)

      · MDIO:基于其高级接口总线(AIB)物理层互连技术,英特尔发布了一项名为MDIO的全新裸片间接口技术。MDIO技术支持对小芯片IP模块库的模块化系统设计,能够提供更高能效,实现AIB技术两倍以上的响应速度和带宽密度。

    英特尔

      这些全新技术共同扩充了英特尔强大的工具箱。它们将与英特尔的制程技术相结合,成为芯片架构师的创意调色板,让他们能够自由设计出创新产品。

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