现阶段，半导体芯片制程技术已经被挖掘殆尽，想要在更为前沿的制程节点上取得进展，单凭当下的FinFET晶体管、高K金属栅极等技术已经很难支撑下去，10nm、7nm、5nm以及3nm制程节点在现有技术框架下很难获得实际性的进展。
作为半导体领域的技术领先者，英特尔近些年来在前沿制程节点上投入了极大的研发力度。总体来说，在7nm以上制程节点上，EUV、III-V晶体管、新的材料、3D堆叠技术、自旋电子学等多维度新领域、新技术的研究是未来半导体芯片制程技术发展的关键。
英特尔正在进行的前沿领域研究
近日有消息称，英特尔在自旋电子学技术领域取得了新的进展。
据悉，英特尔与加州大学伯克利分校的研究人员公布了他们的自旋电子学研究进展，该项技术可以将芯片元件的尺寸缩小到目前尺寸大小的五分之一，并降低90%-97%的能耗。一旦商业成功，该技术可为近年来性能增长平平的芯片产业带来巨大的动力。
磁电旋转轨道示意图
英特尔与加州大学伯克利分校的团队研究一种名为“磁电旋转轨道”（MESO）的逻辑元件。具体来说，该元件使用氧，铋和铁原子的晶格，提供有利的电磁属性以便外力可存储并读取信息。这种元件所需的功率大大小于CMOS晶体管。研究人员还表示，又因为他们无需激活即可保留信息，他们还可以在设备闲置时提供更加节能的睡眠模式。
氧，铋和铁原子晶格结构示意图
目前计算机芯片均采用晶体管处理数据。自旋电子学也可以实现类似的功能，但需要的组件更小更节能。此外，半导体制程技术的进步不仅仅是架构、晶体管等表层领域的研究，新型的材料应用、各个维度的相关技术均取得突破才能在根本上推动半导体制程技术的发展。
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