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    三星7nm工艺突破 全球首次极紫外光刻成功

      [  中关村在线 原创  ]   作者:尹航   |  责编:李诺

      随着硬件工艺制程越来越向1nm逼近,原有的半导体光刻工艺技术已经出现了越来越明显的局限性。因此,制程技术如果想要有更高的突破,并且在未来7nm、5nm、3nm制程节点上有所发展,那么就必须要有新的制程技术。

      近日,根据外媒报道,三星已经完成了7nm新工艺的研发,比原进度提早了半年,这为三星与台积电争抢高通骁龙855代工订单奠定了基础。同时,7nm制程工艺的成功,也意味着全球首例极紫外光刻技术的成功。同时,也使三星在与台积电竞争中占得先机。

    全球首次极紫外光刻成功

      此外,考虑到目前英特尔的10nm制程工艺依然尚未发布,因此三星在7nm制程上无疑领先了不少。EUV极紫外光刻技术是下一代、甚至未来几代制程工艺的主要技术,英特尔10nm虽然依旧没有发布,但其EUV技术研发方面同样取得了不小的成就。

      今年年底,英特尔有望推出10nm制程工艺处理器。而且从晶体管密度上来看,英特尔的10nm制程技术其实是要领先于三星7nm制程技术的。不过在三星占得先机之下,英特尔很有可能又会被冠上“挤牙膏”的称号。

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