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技术解析-32nm制程工艺

集显竟也如此疯狂 解析SNB平台5大巨变

CBSi中国·ZOL 作者:中关村在线 周博林 责任编辑:王力 【原创】 2011年01月06日 06:27 评论
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 ·32nm制程工艺

  Sandy Bridge在架构上有了不小的变化,而32nm的制程工艺依然沿用,了解芯片行业的人知道,要想提高CPU的性能一方面是提高他的主频,一方面是更改他的架构,再有一方面就是提高他的制作工艺了。制造工艺的改进理论上可以带来功耗的降低,使得产品的默认时钟频率可以更高,直接提升性能。



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32nm晶圆展示(点击放大)

● 英特尔 32nm 制造工艺的技术优势

  和现有的45nm工艺相比,32nm工艺在以下几个方面有着显著的变化:

  >>32nm工艺使用第二代高-K金属栅级
       0.9nm等价氧化物厚度高-K(45nm技术是1nm)
       金属栅级工艺流程更新
       30nm栅极长度
       第四代应变硅
  >>有史以来最紧密的栅极间距
       第一代32nm技术将使112.5nm栅极间距
  >>有史以来最高的驱动电流
  >>晶体管性能提升22%
  >>同比封装尺寸将是45nm工艺产品的70%

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32nm的栅极间距更密但漏电率仍然得到改善

    英特尔在2011年CES电子大展上将会发布29款全新处理器,其中有15款处理器是用于笔记本电脑,这次推出的芯片主要是高性能的i5i7芯片,其中包括10款新的i7移动处理器。在最高端产品中,有i7-2920XM终极版笔记本电脑处理器,这颗处理器有四个内核,每个内核的基本时钟速度是2.5GHz,虽然与上一代产品同为32nm制程工艺,但性能会有不小的提升。

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